EMC核心測試項目及標(biāo)準(zhǔn)（一）發(fā)射測試（EMI）測試項目檢測標(biāo)準(zhǔn)限值要求適用端口

傳導(dǎo)發(fā)射 (CE)	CISPR 32/IEC 61000-6-3	150kHz–30MHz，分QP/AV值限值	電源輸入端口
輻射發(fā)射 (RE)	CISPR 32/IEC 61000-6-3	30MHz–6GHz，電場強度限值	整機及線纜

（二）抗擾度測試（EMS）測試項目檢測標(biāo)準(zhǔn)嚴(yán)酷等級性能判據(jù)

靜電放電 (ESD)	IEC	接觸±8kV/空氣±15kV	B級（功能暫降恢復(fù)）
電快速瞬變脈沖群 (EFT/B)	IEC	±2kV（電源線），±1kV（信號線）	B級
浪涌 (Surge)	IEC	±2kV（線-地），±1kV（線-線）	B級（抗雷擊要求）
射頻輻射抗擾度 (RS)	IEC 61000-4-3	3V/m–10V/m（80MHz–1GHz）	A級（功能正常）
傳導(dǎo)抗擾度 (CS)	IEC 61000-4-6	3V–10V（0.15MHz–80MHz）	A級
電壓暫降/中斷 (Dips/Interruptions)	IEC 61000-4-11	30%電壓跌落（10ms）	B級

注：性能判據(jù)分級（IEC 61000系列）

A級：測試中及后功能正常；B級：功能暫降可自恢復(fù)；C級：需人工干預(yù)恢復(fù)。

三、典型故障模式與整改方案（一）傳導(dǎo)發(fā)射超標(biāo)（150kHz–30MHz）

故障根源：

開關(guān)管di/dt噪聲通過輸入線傳播 。

整改措施：

加裝X/Y電容+共模電感濾波電路（如π型濾波器） 。

優(yōu)化PCB布局：縮短高頻回路、增加退耦電容（例：Buck電路輸入加10μF陶瓷電容） 。

（二）輻射發(fā)射超標(biāo)（30MHz–1GHz）

故障根源：

變壓器漏感/開關(guān)管寄生電容產(chǎn)生天線效應(yīng) 。

整改措施：

屏蔽：金屬外殼接地（接地阻抗。

線纜處理：輸出線套磁環(huán)（鎳鋅材質(zhì)，抑制100MHz+噪聲），屏蔽線纜端接360°接地 。

（三）靜電放電（ESD）失效

故障現(xiàn)象：

復(fù)位/死機（未接地金屬面板耦合至PCB） 。

整改措施：

面板增加絕緣涂層（厚度>0.5mm），接口加TVS管（如SMAJ5.0A，響應(yīng)時間。

（四）EFT/B與浪涌測試失敗

EFT關(guān)鍵整改：

電源入口加 壓敏電阻（MOV） + 氣體放電管（GDT） 組合 。

浪涌防護設(shè)計：

三級防護：GDT（通流20kA）→ MOV（鉗位電壓）→ TVS（精細保護） 。

（五）傳導(dǎo)/輻射抗擾度失效

改進方向：

電源反饋環(huán)路加RC濾波（抑制射頻注入），MCU電源加磁珠（如BLM18PG121SN1） 。

軟件抗干擾：ADC采樣中值濾波，看門狗防死機 。

四、嵌入式電源EMC設(shè)計要點

拓撲選擇優(yōu)先：

高噪聲場景避免電荷泵，優(yōu)選同步整流Buck（效率>90%，噪聲可控） 。

PCB分層策略：

4層板設(shè)計：Layer1信號→Layer2地→Layer3電源→Layer4信號，減少環(huán)路面積 。

接地系統(tǒng)設(shè)計：

數(shù)字/模擬地單點連接，散熱器接機殼地（避免浮地耦合） 。

五、測試認證流程優(yōu)化建議

預(yù)測試階段：

使用近場探頭定位噪聲源（如Rohde & Schwarz HZ-15） 。

整改迭代：

傳導(dǎo)發(fā)射→輻射發(fā)射→抗擾度的順序整改（EMI問題常加劇EMS失效） 。

標(biāo)準(zhǔn)更新關(guān)注：

新標(biāo)IEC :2018對230MHz以上輻射限值加嚴(yán)3dB 。

六、EMC設(shè)計閉環(huán)

YES

NO

電源拓撲選型

PCB布局優(yōu)化

濾波/屏蔽設(shè)計

預(yù)測試驗證

是否達標(biāo)？

正式認證

針對性整改

注：嵌入式電源系統(tǒng)（如N+1冗余）需額外驗證模塊間干擾，單體電源重點優(yōu)化成本與EMC平衡 。

通過上述系統(tǒng)性設(shè)計+測試整改，可滿足IEC 61000、CISPR 32等核心標(biāo)準(zhǔn)要求，確保電源在復(fù)雜電磁環(huán)境中穩(wěn)定運行。實際工程中建議參考的端口防護等級表（Table 9/10）進行差異化設(shè)計 。