| 品牌： | AB模塊 |
| 型號(hào)： | 1746-IO12 |
| 產(chǎn)地： | 中國(guó) |
| 單價(jià)： | 666.00元/臺(tái) |
| 發(fā)貨期限： | 自買家付款之日起 天內(nèi)發(fā)貨 |
| 所在地： | 直轄市 上海 |
| 有效期至： | 長(zhǎng)期有效 |
| 發(fā)布時(shí)間： | 2025-08-01 17:17 |
| 最后更新： | 2025-08-01 17:17 |
| 瀏覽次數(shù)： | 3 |
| 采購(gòu)咨詢： |
請(qǐng)賣家聯(lián)系我
|
1、判斷極性
選擇R*1KΩ，若一極與其他兩極的電阻為無(wú)窮大，換筆后仍為無(wú)窮大，則該極為G。
再測(cè)另兩極，若電阻為無(wú)窮大，則變?yōu)閾Q筆后降低，判斷紅筆接C，黑筆接E。
2、判斷萬(wàn)用表
選擇R*10KΩ，黑筆接C，紅筆接E，電阻為零。
當(dāng)手指觸摸G和C時(shí)，觸發(fā)IG導(dǎo)通，萬(wàn)用表轉(zhuǎn)向阻值較小的方向并指示一定值。
如果觸摸G和E時(shí)IG停止，萬(wàn)用表指向零，則判斷IG正常。
3、測(cè)試注意事項(xiàng)
任何指針式萬(wàn)用表均可用于檢測(cè)IG。
判斷IG時(shí)選擇R*10KΩ，因?yàn)榈陀赗*1KΩ時(shí)，內(nèi)部電池電壓過低，測(cè)試時(shí)無(wú)法導(dǎo)通IG，無(wú)法判斷IG。
該方法還可用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的質(zhì)量
